快插接头内部电场分布直接影响其高压击穿风险。通过Maxwell有限元分析，仿真不同设计参数下应力锥与内屏蔽层的电场强度及分布，可找出最优解。例如，优化应力锥角度与内屏蔽层厚度，可显著降低接头内部电场集中现象，提升产品可靠性，为同类产品设计提供理论依据。